SiC Bauteile
All-SiC-Module
All-SiC-Module
All-SiC-Module verwenden ein SiC-MOSFET-Bauelement anstelle eines Silizium-IGBT, was die Schaltverluste im Vergleich zu Silizium-IGBT-Modulen deutlich reduziert.
Die niedrigen Verluste ermöglichen sehr hohe Schaltfrequenzen, hocheffiziente leistungselektronische Systeme und verringern den notwendigen Kühlaufwand.
Produktreihe
Merkmale
- Signifikante Verlustreduzierung durch den Einsatz von SiC-Trench-Gate-MOSFET
- 70 % Reduzierung im Vergleich zu Silizium-IGBT der 7. Generation (X-Serie)
- Die Gehäuse sind kompatibel zu herkömmlichen Si-IGBT-Modulen
- Gehäuse mit niedriger Induktivität
- STD-Gehäuse für Hochtemperaturbetrieb (Tjmax 175 °C)
Vorteile
- Kleinere passive Komponenten durch höhere Schaltfrequenz
- Wirkungsgrad
- Kompakte Bauweise des Anwendungsdesigns
Kontakt
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