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Semiconductors
IGBT

Hochgeschwindigkeitsschaltleistung und Hochspannungsfähigkeit

Ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) ist ein Halbleiterbauelement, das die Schaltgeschwindigkeit eines Leistungs-MOSFET mit den Hochspannungs- und Hochstromfähigkeiten eines Bipolartransistors kombiniert. Die IGBT-Module von Fuji Electric sind für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen wie regenerative Energien, Spannungsversorgung, Antriebe und viele mehr vorgesehen.

Merkmale des IGBT Moduls X series

1. Geringe Verlustleistung

Optimierte Module durch Reduzierung der Stärke und kleinere Struktur des IGBT-Chips und des Dioden-Chips. Dies hat den Vorteil, dass die Verlustleistung während des Wechselrichterbetriebs im Vergleich zur vorherigen 6. Generation (V Serie) reduziert wird.

 

2. Miniaturisierung:

Die innovative Isolierplatte verbessert die Wärmeableitung des Moduls. Durch die Reduzierung der Verlustleistung und die Unterdrückung der Wärmeentwicklung konnte eine um 36 % kleinere Baugröße als beim Vorgängerprodukt erreicht werden.  

 

3. Hochtemperaturbetrieb

Dauerbetrieb bei 175 °C durch optimierten Chip, verbesserte Gehäusesicherheit und Hitzebeständigkeit

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