Leistungshalbleiter
SiC-Module

SiC-Module

SiC-Module besitzen hervorragende Eigenschaften, die einen verlustarmen Betrieb, bei hohen Frequenzen und hohe Temperaturen ermöglichen. Mit SiC-Leistungshalbleitern kann der Energieverbrauch deutlich reduziert und kleinere sowie leichtere Antriebskomponenten für xEV (elektrische Fahrzeuge) entwickelt werden.
Die SiC-Module von Fuji Electric sind in flexiblen 2-Level- und 3-Level-Topologien erhältlich.

Die 2-Level-Topologie bietet eine einfache Lösung für dreiphasige Systeme. Sie stellt eine gute Balance zwischen Kosten und Leistung für xEV-Antriebsumrichter dar und ist eine bewährte Technologie mit einfacher und zuverlässiger Steuerung.

Die 3-Level-Topologie ermöglicht es dem Kunden, die Verluste im Elektromotor eines xEV-Antriebsstrangs erheblich zu reduzieren. Dies senkt folglich die Motortemperatur und erlaubt somit eine hohe, kontinuierliche Leistungsabgabe.

Merkmale

  • Fuji Electric 1200 V 3G SiC MOSFET
  • Skalierbare Stromstärke bis zu 1000 A
  • Revolutionäre 3D-Verbindungstechnik

 

  • 2-Level- und 3-Level-Optionen

  • Flexibles Halbbrückendesign

  • Cu- oder Al-PinFin- oder geschlossene Wasserkühler

  • AQG 324 qualifiziert

Vorteile

  • Sehr geringe Streuinduktivität

  • Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu 200 °C

  • Universelle Passform durch Adapterrahmen

  • Verfügbar mit oder ohne Kühler

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