
Leistungshalbleiter
SiC-Module

SiC-Module
SiC-Module besitzen hervorragende Eigenschaften, die einen verlustarmen Betrieb, bei hohen Frequenzen und hohe Temperaturen ermöglichen. Mit SiC-Leistungshalbleitern kann der Energieverbrauch deutlich reduziert und kleinere sowie leichtere Antriebskomponenten für xEV (elektrische Fahrzeuge) entwickelt werden.
Die SiC-Module von Fuji Electric sind in flexiblen 2-Level- und 3-Level-Topologien erhältlich.
Die 2-Level-Topologie bietet eine einfache Lösung für dreiphasige Systeme. Sie stellt eine gute Balance zwischen Kosten und Leistung für xEV-Antriebsumrichter dar und ist eine bewährte Technologie mit einfacher und zuverlässiger Steuerung.
Die 3-Level-Topologie ermöglicht es dem Kunden, die Verluste im Elektromotor eines xEV-Antriebsstrangs erheblich zu reduzieren. Dies senkt folglich die Motortemperatur und erlaubt somit eine hohe, kontinuierliche Leistungsabgabe.
Merkmale
- Fuji Electric 1200 V 3G SiC MOSFET
- Skalierbare Stromstärke bis zu 1000 A
- Revolutionäre 3D-Verbindungstechnik
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2-Level- und 3-Level-Optionen
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Flexibles Halbbrückendesign
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Cu- oder Al-PinFin- oder geschlossene Wasserkühler
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AQG 324 qualifiziert
Vorteile
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Sehr geringe Streuinduktivität
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Betrieb bei hohen Temperaturen bis zu 200 °C
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Universelle Passform durch Adapterrahmen
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Verfügbar mit oder ohne Kühler
Kontakt
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