Sic Geräte
Alle Sic-Module
Alle Sic-Module
Alle Sic-Module verwenden einen SiC-MOSFET-Baustein anstelle eines Si-IGBTs, was die Schaltverluste im Vergleich zu Silizium-IGBT-Modulen stark reduziert. Die geringen Verluste ermöglichen sehr hohe Schaltfrequenzen, hocheffiziente leistungselektronische Systeme und reduzieren den notwendigen Kühlaufwand
Produktreihe
Merkmale
- Signifikante Verlustreduzierung durch den Einsatz von SiC-Trench-Gate-MOSFET
- 70 % Reduzierung im Vergleich zu Silizium-IGBT der 7. Generation (X-Serie)
- Die Gehäuse sind kompatibel zu herkömmlichen Si-IGBT-Modulen
- Gehäuse mit niedriger Induktivität
- STD-Gehäuse für Hochtemperaturbetrieb (Tjmax 175 °C)
Vorteile
- Kleinere passive Komponenten durch höhere Schaltfrequenz
- Wirkungsgrad
- Kompakte Bauweise des Anwendungsdesigns
Kontakt
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